1200度三温区PECVD系统设备

STR 1200度三温区PECVD系统设备是由洛阳赛特瑞高温电炉生产的实验室用PECVD系统设备，1200度三温区PECVD系统设备由TF1200真空管式炉、石英真空室、射频电源、GX供气系统、抽气系统、真空测量系统组成。

1200度PECVD系统以质电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端能不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，抽真空时真空度能够达到10-3 Pa，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能环保等点。

1200度三温区PECVD系统主要特点：

1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。