PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统
PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统介绍
PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
PECVD系统是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
PECVD系统主要由真管式炉，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应炉膛等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统选型
| 项 目 | 推荐选型 | |||||||
| 管式加热炉体 | STR 1200℃真空管式炉 | |||||||
| 炉膛温区 | 单温区管式炉、双温区管式炉、三温区管式炉 | |||||||
| 石英反应炉膛 | 根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等规格可选。 | |||||||
| 真空系统 | 根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1（极限真空0.1Pa），GZK10-3（极限真空0.001Pa），以及质高真空机组（极限真空0.0001Pa）供选择。 | |||||||
| 质子流量供气系统 | 根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供选择。 | |||||||
| 射频等离子源 | 根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射频电源供选择。 | |||||||
| 常见PECVD系统组合 | 1. 1200度60滑轨式微型管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，300W射频电源 | |||||||
| STR G1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 | ||||||||
| 2. 1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 3. 1200度60双温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 4. 1200度60三温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 5. 1200度60微型预热炉，1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 | ||||||||
| STR G1200-60S，STR G1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
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