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1200度双温区CVD系统设备:化学气相沉积系统

名称:CVD系统设备厂家 发布时间: 2020-07-16  点击数:149  

SGM 1200度双温区CVD系统设备双温区CVD系统由1200℃双温区管式炉、双通道质量流量计和低噪音双极旋片真空泵组成。双温区CVD系统管式炉的两个温区分别由精密控温仪表立控温,通过调节各个温区的温度,该管式炉可以在加热区内形成两段温度梯度或是形成较长的恒温区域。

1200度双温区CVD系统介绍:

双温区CVD系统适用于高校、科研院所、工矿企业做高温烧结、金属退火、质量检测等,尤其适合需要多种气体混合的气氛环境的CVD实验。制备高质量的石墨烯与碳纳米管而开发的高性能台式CVD系统。

多温区CVD系统设备是由多温区管式炉、多路混气供气系统和真空系统灵活组合,满足各类薄膜沉积,是半导体工业中应用设计为广泛的用来沉积薄膜材料的技术,包括大面积的绝缘材料,以及大多数金属材料和金属合金材料。CVD镀膜系统可用于各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域。 

多温区管式炉系统主要由加热系统及控制系统组成;全套系统包含加热系统、真空系统、供气系统及控制程序系统等。炉体部分采用上下式结构,水平操作上下开启式管式炉,导轨安装。滑动式管式炉的炉体可左右移动;空气冷却方便快速;炉子的气体管线、真空系统及控制系统全部采用模块化设计,维护升级方便,所有系统全部集成安装在炉体下部,简洁美观。全套系统通过PLC模块化集成控制,可选择数字操控程序,实现一体机显示操作也可进行远端调控。

洛阳西格马高温电炉可生产低真空CVD系统、高真空CVD系统、等离子体增强CVD管炉、CVD石墨烯和纳米管生长炉。

1200度双温区CVD系统设备规格:

显示模式

7英寸触摸屏

真空控制

可通过参数设置,自动完成抽真空,恒压工作

炉管材料

高纯石英

炉管尺寸

直径:50mm,长度1000mm

加热温区

两温区

温区长度

200mm+200mm

工作温度

室温~1100℃

控温精度

±1℃

升温速率

建议10℃/min

控温模式

可编程程序控温

密封方式

真空法兰密封

双通道质量流量计

气体通道

两通道

测量仪器

质量流量计

A路量程

氢气:0~500SCCM

B路量程

氩气:0~1000SCCM

连接管道

抛光不锈钢管

气体缓冲器

1000ml

工作压力

≦3Mpa

工作压差

0.3MPa

管道接口

6.35mm卡套接头

真空泵

抽气接口

KF25

排气接口

KF25

抽气速率

24立方米/小时

极限真空

5.0E-2Pa

电机功率

1100W

电机转速

1440转/分钟

真空计

传感器类型

皮拉力

真空量程

1.0E-1Pa~1.0E5Pa

安装方式

竖直放置

工作电压

DC24V

相关配件

连接管道

KF25波纹管1米长

聚四氟管5米

石英炉管1根

炉管塞子4个

炉钩1支

防护手套1双

真空法兰1套(带密封圈、针阀、气路接头)

什么是cvd?

CVD是一种气相物质在高温下通过低化学反应而生成固体物质并沉积在基板上的成膜方法。具体的说挥发性的金属卤化物和金属有机化合物等与H2,Ar或N2等远载气体混合后,均匀的送到反应室的高温基板上,通过热解还原,氧化,水解,歧化,聚合等化学反应。

CVD系统由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产,除了主要应用在碳纳米材料制备行业外,现在正在使用在许多行业,包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。

CVD系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应,从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统。

CVD系统产品的特点:

1、兼容、常压、微正压多种主流的生长模式;

2、可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长;

3、使用计算机控制,可以设置多种生长参数;

4、.可以制备高质量,大面积石墨烯等碳材料,尺寸可达数厘米,研究动力学过程;

5、沉积效率高;薄膜的成分精度可控,配比范围大;厚度范围广,由几百埃至数毫米,可以实现厚膜沉积且能大量生产。

CVD系统的产品用途:

适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控。

 

标题: CVD系统设备介绍网站
链接:http://wwww.zzdianlu.com//dianlu/710.html
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