CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。炉型可选：开启式管式炉、滑动式管式炉、旋转管式炉。

OTL1200单温区可调真空CVD双管炉是由3路供气系统+OTL1200双管式炉+真空系统组成。

OTL1200单温区可调真空CVD双管炉以质电阻丝瑞典（Canthal）为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电控温仪表，能进行40段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等点，是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的高温烧结产品。

结构特点

双层壳体，配有循环风冷系统，壳体温度<60℃。

内炉膛表面涂有美国质氧化铝涂层，可以提高加热效率，同时延长使用寿命。

采用PID控制器 ，可以设置30段升降温程序。

设有超温及断偶报警功能。

主要技术参数：