等离子体增强滑动式PECVD管式炉介绍：

化学气相沉积系统(CVD)为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）， 内炉膛表面涂有美国质的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命。HTTF-1200-V-PECVD等离子体增强滑动式真空管式炉PECVD系统广泛应用于沉积高质量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等

等离子体增强滑动式混气真空管式炉PECVD系统是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，环境温度在100-300℃，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性，这些具有反应活性的中性物质很容易被吸附到较次温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜，因此这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。

等离子体增强滑动式多路混气真空管式炉PECVD系统，由SGM 1200度单温区管式炉、真空系统、质子流量计、射频电源系统系统组成。

真空管式炉PECVD系统可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。化学气相沉积系统广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。

化学气象沉着设备PEVCD产品套件包含

•1200度开启式真空管式炉（可选配多温区）

•滑动系统分为手动、电动滑动，并配有风冷系统

•多路质量流量控制系统

•真空系统（可选配中真空或高真空）

 4路质子混气管式炉PECVD系统技术参数：