PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统介绍

PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。

PECVD系统

    PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。

   PECVD系统是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

    PECVD系统主要由真管式炉，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应炉膛等部件组成。

主要特点：

    1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

    2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

    3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

    4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

    5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统选型