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实验用二硫化钼CVD气相沉积系统：滑动管式炉+预热炉+混气
- 电阻炉名称：实验用二硫化钼CVD气相沉积系统：滑动管式炉+预热炉+混气
- 电阻炉类型：高温管式炉
- 电阻炉厂家：西格马高温管式炉
- 电阻炉规格：
- 电阻炉温度：1200℃
二硫化钼是一种无机物，化学式为MoS2，是辉钼矿的主要成分。黑色固体粉末，有金属光泽。熔点2375℃，密度4.80g/cm³（14℃），莫氏硬度1.0～1.5。通过化学气相沉积方法，可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。
硫粉预热器采用管内测控温以保证在250℃以下，稳定控制硫蒸汽的蒸发时机和蒸发温度。真空机组装有真空粉尘过滤器以保护机械式真空泵不被硫粉尘损坏。采用耐腐蚀电阻电容复合真空计（在1000Pa以上测量不受气体种类影响，耐硫蒸气腐蚀），通过调节真空蝶阀的开启程度调节炉管内压力稳定，在1200℃以下的工艺温度稳定气相沉积二硫化钼等二维化合物材料。
设备组成
SGM TF50-12S双温区管式炉、TF400C硫粉预热器(双温区管式炉与预热器可滑动)，3路质量流量计供气系统，机械式真空泵等组成。
主要技术参数
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硫粉预热器
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电炉型号：SGM TF-400 工作温度：350℃ 设计温度：400℃ 加热元件：电阻丝 上限升温速率：30℃/min 推荐升温速率：10℃/min 控温方式：智能化30段可编程控制 工作电压：AC220 V 额定功率：800W 控温精度：±1℃
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双温区硫化炉 |
型号：SGM HCVD-1200S 技术参数： 额定功率(KW):3 额定电压(V):AC220v 50/60 Hz 设计温度(℃):1200（1 hour） 加热元件：电阻丝 持续工作温度(℃）：1100 升温速率（℃/min）：≤50 炉管尺寸（mm）： 高纯石英管Φ50×1500mm 加热区长度（mm）：440mm 恒温区长度（mm）:200mm 控温方式:模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能 控温精度(℃):±1 |
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3路供气系统 GMF3Z
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3路混气质量流量计 重量：35Kg 外形尺寸：600x600x650mm 连接头类型：双卡套不锈钢接头。 标准量程（N2标定)：50sccm、200sccm、500sccm； （可根据用户要求定制） 准确度：±1.5% 线性：±0.5～1.5% 重复精度：±0.2% 响应时间：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec 工作压差范围：0.1～0.5 MPa 设计压力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 显示：4位数字显示 工作环境温度:5~45高纯气体 内外双抛不锈钢管：Φ6 压力真空表：－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 截止阀：Φ6 |
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低真空机组
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技术参数： 空气相对湿度≤85%， 工作电电压：220V±10% 50~60HZ 功率：1千瓦 抽气速率：4L/s 极限真空：4X10-2Pa 实验真空度：1.0X10-1Pa 容油量：1.1L 进气口口径：KF25 排气口口径：KF25 转速：1450rpm 噪音：50dB 外型尺寸:450×180×240mm |
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配真空粉尘过滤器，DN25手动蝶阀用于控制炉管内压力，INFICON PCG554复合真空计 |
二硫化钼修饰二硒化钨垂直异质结的制备:采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层,然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层,并在NaI的辅助下,在600-700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结.
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