气氛

炉温

（℃）

表面负荷

（W/cm2）

对元件的影响

解决办法

氨

1290

3.8

与SiC作用生成甲烷减少SiO2保护膜

露点激活

CO2

1450

3.1

侵蚀碳化硅

用石英管保护

18%CO

1500

4.0

无影响

20%CO

1370

3.8

吸附碳粒影响SiO2保护膜

卤素

704

3.8

侵蚀碳化硅减少SiO2保护膜

用石英管保护

碳氢化合物

1310

3.1

吸附碳粒而导致热污染，分解的碳沉积，

易造成电器故障

送进充分的空气

氢

1290

3.1

与SiC作用反应生成甲烷减少SiO2保护膜

露点激活

甲烷

1370

3.1

吸附碳粒而导致热污染

N

1370

3.1

与SiC反应形成氮化硅绝缘层

Na

1310

3.8

侵蚀碳化硅

用石英管保护

SO2

1310

3.8

侵蚀碳化硅

用石英管保护

真空

1204

3.8

氧

1310

3.8

碳化硅被氧化

水（不同含量）

1090~1370

3.1~3.6

与SiC作用生成硅的水化物

炉温

℃

1100

1200

1300

1350

1400

1450

加热部表面负荷

<17

<13

<9

<7

<5

<4

气氛

影响

对策

推荐涂层

水蒸气和湿气

比在干燥大气中的使用寿命缩短1/5

新炉子试运行或者旧炉子长时间不工作再使用时，要先低温充分干燥后再升温。

U涂层

氢气

硅碳棒温度上升到1350℃以后电阻急速增加，机械强度也下降。而且根据气体干湿的不同寿命也差别很大。

建议在炉内温度为1300℃以下的状态下使用。表面负荷尽量小（5W/cm2）。

氮气

温度超过1400℃时氮气与碳化硅反应生成氮化硅，使硅碳棒变脆，寿命缩短。受露点的影响与氢气的状况相同

建议在炉内温度为1300℃以下的状态下使用。表面负荷尽量小（5W/cm2）。

N涂层

氨气（H275%）、（N225%）

与氢气、氮气的状况相同。

建议在炉内温度为1300℃以下的状态下使用。表面负荷尽量小。

N涂层

分解反应气体

（N2、CO、CO2、H2、CH2混合物）

加热过程中硅碳棒表面附着分解后的碳黑，造成棒体疏松。

经常向炉内输送空气，让多余的碳燃烧。在炉子构造方面，保持硅碳棒间足够的间隔以防止短路。

N涂层

硫（S、SO2）

硅碳棒温度升到1300℃以后，硅碳棒表面被侵蚀、电阻急剧增加。

将硅碳棒温度控制在1300℃以下。

N涂层

其他

由被处理物产生的各种物质，如铅、锑、碱金属的化合物与硅碳棒反应，使其寿命缩短。

预先将这些物质从处理物中除掉，炉内设排气口以便减弱其影响。

H涂层

S涂层