该双温区等离子化学气相沉积系统由射频源主要参数、预加热、双温区管式炉加热区、气路系统组成。

双温区等离子化学气相沉积系统主要特点：

双温区等离子化学气相沉积系统的高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统，控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温，电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制，从而大大提高了加热元件的寿命，测温元件采用 K 型热偶。30段可编程控温，PID参数自整定，操作界面为10寸工控电脑，内置PLC控制程序，可将温控系统、滑轨炉滑动(时间和距离)设定为程序控制。同时系统设置了超温、 欠温、断偶报警保护功能，大大降低了对操作人员经验的要求，关键电气元件采用质的产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。

PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有点，工艺流程简单。

配有可加热到400℃的前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为双温区 ，温度控制精度，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

双温区等离子化学气相沉积系统

双温区等离子化学气相沉积系统技术参数

射频源主要参数：

信号频率：13、56 MHz±0、005%

功率输出范围：0-500W

设计反射功率:100W

射频输出接口：50 Ω, N-type, female

功率稳定性：≤5W

谐波分量：≤-50dbc

供电电压：单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ

整机效率：>=70%

功率因素：>=90%

冷却方式：强制风冷

备注：可根据腔体大小选择射频源功率。

预热器参数：

工作温度：400℃

设计温度：1100℃

快升温速率：≤30℃/min

推荐升温速率：10℃/min

控温方式：智能化30段可编程控制

工作电压：AC220V

额定功率：800W

控温精度：±1℃

加热元件：电阻丝

双温区管式炉加热区参数：

加热元件:电阻丝（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo）

加热区长度：400mm（200+200mm）

恒温区长度: 200mm  (100+100mm)（±1℃）

工作温度：1100℃

设计温度：1200℃

控温方式：模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能

控温精度:±1℃

升温速率：≤30℃/min

炉管：高纯度石英管Φ25(080@hx2000mm  (管径可选)

标准配件：石英管1支，莫来石管堵2对，不锈钢法兰1套，氟胶密封圈2套，高温手套1副，坩埚钩1支；

尺寸约：2000×600×1500 mm（长、宽、高）

备注：可选配单温区、双温区、三温区等加热区。

气路系统参数：

质量流量计参考量程（N2)：100sccm、200sccm、500sccm （量程可选）

准确度：±1、5%

线性：±0、5～1、5%

重复精度：±0、2%

响应时间：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec

工作压差范围：0、1～0、5 MPa

设计压力：3MPa

接口：Φ6,1/4''

显示：4位数字显示

工作环境温度:5~45高纯气体             

内外双抛不锈钢管：Φ6

压力真空表：－0、1～0、15 MPa, 0、01 MPa/格

截止阀：Φ6

连接头类型：双卡套不锈钢接头。

备注：可选配一路、两路、三路、四路等以上质量流量计。

低真空系统参数：

国产油泵型号：BSV-10

抽速：10m?/h

极限真空度：5*10-1pa

电源：220v 50hz

电机功率：0、4kw  

进排气连接口：KF25

用油量：1、1L

电机转速：1440rpm

工作环境温度：5-40℃

噪音：≤56db

气体真空计参数：

1、配用规管：ZJ-52T电阻规，

2、测量范围： 10 5 ～10 -1 Pa，

3、测量路数： 1路

4、控制范围： 5×10 3 ～5×10 -1 Pa，

5、控制方式：继电器触点输出，负载能力 AC220V/3A (或DC28V/3A)无感负载，

6、电源： 90-260V/50Hz或220V ± 10% 50Hz，

7、功耗： 20W